Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
R6576ENZ4C13
Product Overview
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
R6576ENZ4C13-DG
Περιγραφή:
650V 76A TO-247, LOW-NOISE POWER
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 650 V 76A (Ta) 735W (Tc) Through Hole TO-247
Αποθέμα:
562 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12974850
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
R6576ENZ4C13 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tube
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
650 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
76A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
46mOhm @ 44.4A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 2.96mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
260 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
6500 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
735W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-247
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
R6576
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
30
Άλλα ονόματα
846-R6576ENZ4C13
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
AOD558
30V N-CHANNEL MOSFET
NVMFWS025P04M8LT1G
MV8 40V P-CH LL IN S08FL PACKAGE
R6002ENHTB1
600V 1.7A SOP8, LOW-NOISE POWER
