Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
CSD17303Q5
Product Overview
Κατασκευαστής:
Texas Instruments
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
CSD17303Q5-DG
Περιγραφή:
CSD17303Q5 30V, N CHANNEL NEXFET
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 30 V 32A (Ta), 100A (Tc) 3.2W (Ta) Surface Mount 8-VSON-CLIP (5x6)
Αποθέμα:
1490 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12946941
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
CSD17303Q5 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Texas Instruments
Συσκευασία
Bulk
Σειρά
NexFET™
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
32A (Ta), 100A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
3V, 8V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
2.4mOhm @ 25A, 8V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.6V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
23 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
+10V, -8V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
3420 pF @ 15 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
3.2W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-VSON-CLIP (5x6)
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerTDFN
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
301
Άλλα ονόματα
TEXTISCSD17303Q5
2156-CSD17303Q5
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
FDB035AN06A0
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
FDMA530PZ
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
IRF1010ZPBF
IRF1010 - 12V-300V N-CHANNEL POW
