Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
EPC2110ENGRT
Product Overview
Κατασκευαστής:
EPC
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
EPC2110ENGRT-DG
Περιγραφή:
GANFET 2N-CH 120V 3.4A DIE
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 120V 3.4A Surface Mount Die
Αποθέμα:
12795179
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
EPC2110ENGRT Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
EPC
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
eGaN®
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
GaNFET (Gallium Nitride)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual) Common Source
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
120V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
3.4A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
60mOhm @ 4A, 5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 700µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
0.8nC @ 5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
80pF @ 60V
Ισχύς - Μέγιστη
-
Θερμοκρασία λειτουργίας
-40°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
Die
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
Die
Βασικός αριθμός προϊόντος
EPC211
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
917-EPC2110ENGRCT
917-EPC2110ENGRTR
EPC2110ENGR
917-EPC2110ENGRDKR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0040
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
EPC2106
GANFET 2N-CH 100V 1.7A DIE
EPC2105ENGRT
GANFET 2N-CH 80V 9.5A DIE
EPC2108
GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA
