Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
EPC2105ENGRT
Product Overview
Κατασκευαστής:
EPC
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
EPC2105ENGRT-DG
Περιγραφή:
GANFET 2N-CH 80V 9.5A DIE
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 80V 9.5A Surface Mount Die
Αποθέμα:
12795182
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
EPC2105ENGRT Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
EPC
Συσκευασία
-
Σειρά
eGaN®
Κατάσταση προϊόντος
Discontinued at Digi-Key
Τεχνολογία
GaNFET (Gallium Nitride)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Half Bridge)
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
80V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
9.5A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
14.5mOhm @ 20A, 5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 2.5mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
2.5nC @ 5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
300pF @ 40V
Ισχύς - Μέγιστη
-
Θερμοκρασία λειτουργίας
-40°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
Die
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
Die
Βασικός αριθμός προϊόντος
EPC210
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
500
Άλλα ονόματα
917-EPC2105ENGRDKR
917-EPC2105ENGRTR
917-EPC2105ENGRCT
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0040
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
