Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
HTMN5130SSD-13
Product Overview
Κατασκευαστής:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
HTMN5130SSD-13-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 55V 2.6A 8SO
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 55V 2.6A 1.7W Surface Mount 8-SO
Αποθέμα:
12905133
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
HTMN5130SSD-13 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
55V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
2.6A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
130mOhm @ 3A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
8.9nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
218.7pF @ 25V
Ισχύς - Μέγιστη
1.7W
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-SO
Βασικός αριθμός προϊόντος
HTMN5130
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
HTMN5130SSD-13DICT
HTMN5130SSD-13DI-DG
HTMN5130SSD-13DITR
HTMN5130SSD-13DIDKR
HTMN5130SSD-13DI
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
DMNH6042SSDQ-13
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Diodes Incorporated
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
7116
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
DMNH6042SSDQ-13-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.34
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
ZXMD63P02XTA
MOSFET 2P-CH 20V 8MSOP
SP8M10FRATB
MOSFET N/P-CH 30V 7A/4.5A 8SOP
ZXMN10A08DN8TC
MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SO