ZXMN3A04KTC
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

ZXMN3A04KTC

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

ZXMN3A04KTC-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 30V 18.4A DPAK
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 30 V 12A (Ta) 2.15W (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type B)

Αποθέμα:

12921598
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

ZXMN3A04KTC Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
12A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
20mOhm @ 12A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1V @ 250mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
36.8 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1890 pF @ 15 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
2.15W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Βαθμολογώ
Automotive
Προσόν
AEC-Q101
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
U-DFN2020-6 (Type B)
Συσκευασία / Θήκη
6-UDFN Exposed Pad
Βασικός αριθμός προϊόντος
ZXMN3

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
ZXMN3A04KTCCT-NDR
ZXMN3A04KTCCT
ZXMN3A04KTCDKR-NDR
ZXMN3A04KTCTR-NDR
ZXMN3A04KTCDKR
31-ZXMN3A04KTCTR
31-ZXMN3A04KTCDKR
ZXMN3A04KTCTR
31-ZXMN3A04KTCCT

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FDD6690A
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
17130
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FDD6690A-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.37
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
ZXMN3A04KTC
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Diodes Incorporated
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
0
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
ZXMN3A04KTC-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.82
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Parametric Equivalent
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IPD30N03S2L20ATMA1
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
5035
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IPD30N03S2L20ATMA1-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.34
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
vishay-siliconix

SQM85N15-19_GE3

MOSFET N-CH 150V 85A TO263

vishay-siliconix

SUD50N03-12P-E3

MOSFET N-CH 30V TO252

vishay-siliconix

SIHW33N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 33A TO247AD

vishay-siliconix

SIR426DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8