ZXMN10A08E6TA
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

ZXMN10A08E6TA

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

ZXMN10A08E6TA-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT26
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 100 V 1.5A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-26

Αποθέμα:

33748 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12902969
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

ZXMN10A08E6TA Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
1.5A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
250mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
7.7 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
405 pF @ 50 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1.1W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-26
Συσκευασία / Θήκη
SOT-23-6
Βασικός αριθμός προϊόντος
ZXMN10

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
ZXMN10A08E6CT-NDR
Q3400736A
ZXMN10A08E6TR
ZXMN10A08E6TR-NDR
ZXMN10A08E6CT
ZXMN10A08E6DKR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
diodes

BS107P

MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3

littelfuse

IXFN44N100Q3

MOSFET N-CH 1000V 38A SOT227B

diodes

ZXMP2120G4TA

MOSFET P-CH 200V 200MA SOT223

diodes

DMG1013UWQ-13

MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323