Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
ZVP2110ASTOA
Product Overview
Κατασκευαστής:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
ZVP2110ASTOA-DG
Περιγραφή:
MOSFET P-CH 100V 230MA E-LINE
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 100 V 230mA (Ta) 700mW (Ta) Through Hole E-Line (TO-92 compatible)
Αποθέμα:
12887743
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
ZVP2110ASTOA Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
230mA (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
8Ohm @ 375mA, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3.5V @ 1mA
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
100 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
700mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
E-Line (TO-92 compatible)
Συσκευασία / Θήκη
E-Line-3
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,000
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
VP0109N3-G
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Microchip Technology
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
697
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
VP0109N3-G-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.81
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
DMG4435SSS-13
MOSFET P-CH 30V 7.3A 8SOP
DMN4030LK3Q-13
MOSFET N-CH 40V 9.4A TO252 T&R
DMN4010LFG-7
MOSFET N-CH 40V 11.5A PWRDI3333
