Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
DMTH6012LPSW-13
Product Overview
Κατασκευαστής:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
DMTH6012LPSW-13-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 60V 11.5/50.5A PWRDI
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 60 V 11.5A (Ta), 50.5A (Tc) 2.8W (Ta), 53.6W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8 (Type Q)
Αποθέμα:
13270045
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
DMTH6012LPSW-13 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
11.5A (Ta), 50.5A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
14mOhm @ 20A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.3V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
13.6 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
785 pF @ 30 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
2.8W (Ta), 53.6W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PowerDI5060-8 (Type Q)
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerTDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMTH6012
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
31-DMTH6012LPSW-13TR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
C3M0032120D
SICFET N-CH 1200V 63A TO247-3
C3M0016120D
SICFET N-CH 1200V 115A TO247-3
RQ7E100ATTCR
MOSFET P-CH 30V 10A TSMT8