C3M0021120D
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

C3M0021120D

Product Overview

Κατασκευαστής:

Wolfspeed, Inc.

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

C3M0021120D-DG

Περιγραφή:

SICFET N-CH 1200V 100A TO247-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 1200 V 100A (Tc) 469W (Tc) Through Hole TO-247-3

Αποθέμα:

986 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13270055
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

C3M0021120D Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Wolfspeed
Συσκευασία
Tube
Σειρά
C3M™
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
SiCFET (Silicon Carbide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
1200 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
100A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
15V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
28.8mOhm @ 50A, 15V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3.6V @ 17.7mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
160 nC @ 15 V
Vgs (Μέγ.)
+15V, -4V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
4818 pF @ 1000 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
469W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-40°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-247-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
C3M0021120

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
30
Άλλα ονόματα
1697-C3M0021120D
-3312-C3M0021120D

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
diodes

DMPH6250S-7

MOSFET P-CH 60V 2.4A SOT23

diodes

DMG3401LSNQ-7

MOSFET P-CH 30V 3A SC59-3

diodes

DMTH6005LFG-7

MOSFET N-CH 60V 19.7A/100A PWRDI

diodes

DMTH69M8LFVW-13

MOSFET N-CH 60V 15.9/45.4A PWRDI