DMTH6010LPD-13
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

DMTH6010LPD-13

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

DMTH6010LPD-13-DG

Περιγραφή:

MOSFET 2N-CH 60V 13.1A PWRDI50
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 60V 13.1A (Ta), 47.6A (Tc) 2.8W Surface Mount PowerDI5060-8

Αποθέμα:

4940 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12884949
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

DMTH6010LPD-13 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
13.1A (Ta), 47.6A (Tc)
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
11mOhm @ 20A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
40.2nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2615pF @ 30V
Ισχύς - Μέγιστη
2.8W
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Βαθμολογώ
Automotive
Προσόν
AEC-Q101
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerTDFN
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PowerDI5060-8
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMTH6010

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
DMTH6010LPD-13DICT
DMTH6010LPD-13DITR
DMTH6010LPD-13DIDKR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
diodes

ZXMP6A16DN8TC

MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8SO

diodes

ZXMP3A16DN8TA

MOSFET 2P-CH 30V 4.2A 8SO

diodes

ZXMD63P03XTA

MOSFET 2P-CH 30V 8MSOP

diodes

ZXMC10A816N8TC

MOSFET N/P-CH 100V 2A 8SO