Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
ZXMC10A816N8TC
Product Overview
Κατασκευαστής:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
ZXMC10A816N8TC-DG
Περιγραφή:
MOSFET N/P-CH 100V 2A 8SO
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 100V 2A 1.8W Surface Mount 8-SO
Αποθέμα:
10197 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12885286
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
ZXMC10A816N8TC Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
N and P-Channel
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
2A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
230mOhm @ 1A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
9.2nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
497pF @ 50V, 717pF @ 50V
Ισχύς - Μέγιστη
1.8W
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-SO
Βασικός αριθμός προϊόντος
ZXMC10
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
ZXMC10A816N8DICT
ZXMC10A816N8DITR
ZXMC10A816N8DIDKR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
ZDM4206NTA
MOSFET 2N-CH 60V 1A SM8
MCQ4828A-TP
MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOP
ZXMC3A17DN8TC
MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3.4A 8SO
