DMTH4008LPDW-13
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

DMTH4008LPDW-13

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

DMTH4008LPDW-13-DG

Περιγραφή:

MOSFET 2N-CH 40V 10A PWRDI50
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 40V 10A (Ta), 46.2A (Tc) 2.67W (Ta), 39.4W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8 (Type UXD)

Αποθέμα:

13000655
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

DMTH4008LPDW-13 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
40V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
10A (Ta), 46.2A (Tc)
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
12.3mOhm @ 20A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.3V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
12.3nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
881pF @ 20V
Ισχύς - Μέγιστη
2.67W (Ta), 39.4W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerTDFN
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PowerDI5060-8 (Type UXD)
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMTH4008

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
31-DMTH4008LPDW-13CT
31-DMTH4008LPDW-13DKR
31-DMTH4008LPDW-13TR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
diodes

DMG6302UDW-13

MOSFET 2P-CH 25V 0.15A SOT363

diodes

DMC2710UDWQ-7

MOSFET N/P-CH 20V 0.75A SOT363

diodes

DMN66D0LDWQ-7

MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT363

diodes

DMTH4014LDVW-13

MOSFET 2N-CH 40V 10.2A PWRDI3333