DMG6302UDW-13
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

DMG6302UDW-13

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

DMG6302UDW-13-DG

Περιγραφή:

MOSFET 2P-CH 25V 0.15A SOT363
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 25V 150mA (Ta) 310mW (Ta) Surface Mount SOT-363

Αποθέμα:

13000662
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

DMG6302UDW-13 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 P-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
25V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
150mA (Ta)
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
10Ohm @ 140mA, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
0.34nC @ 4.5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
30.7pF @ 10V
Ισχύς - Μέγιστη
310mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-363
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMG6302

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
10,000
Άλλα ονόματα
31-DMG6302UDW-13TR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
diodes

DMC2710UDWQ-7

MOSFET N/P-CH 20V 0.75A SOT363

diodes

DMN66D0LDWQ-7

MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT363

diodes

DMTH4014LDVW-13

MOSFET 2N-CH 40V 10.2A PWRDI3333

microchip-technology

MSCSM120AM31CTBL1NG

SIC 2N-CH 1200V 79A