Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

DMT8008LSS-13

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

DMT8008LSS-13-DG

Περιγραφή:

MOSFET BVDSS: 61V-100V SO-8

Λεπτομερής Περιγραφή:

N-Channel 80 V 13A (Ta), 32A (Tc) 1.3W (Ta)

Αποθέμα:

RFQ Online

12888871

Αίτηση Προσφοράς

Ποσότητα
Ελάχιστο 1

(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών

ΥΠΟΒΑΛΛΩ

DMT8008LSS-13 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία

FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs

Κατασκευαστής

Diodes Incorporated

Συσκευασία

Tape & Reel (TR)

Σειρά

-

Κατάσταση προϊόντος

Active

Τύπος FET

N-Channel

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)

80 V

Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C

13A (Ta), 32A (Tc)

Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs

8mOhm @ 13A, 10V

Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID

2.8V @ 250µA

Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs

47 nC @ 10 V

Vgs (Μέγ.)

±20V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds

2840 pF @ 40 V

Δυνατότητα FET

-

Απαγωγή ισχύος (μέγ.)

1.3W (Ta)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 150°C (TJ)

Βασικός αριθμός προϊόντος

DMT8008

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων

Φύλλα δεδομένων

HTML Δελτίο δεδομένων

DMT8008LSS-13-DG

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο

2,500

Άλλα ονόματα

DMT8008LSS-13DI

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS

ROHS3 Compliant

Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)

1 (Unlimited)

Κατάσταση REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Πιστοποίηση DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Σχετικά προϊόντα

diodes

DMN3051L-7

MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3

diodes

DMP3010LK3Q-13

MOSFET P-CH 30V 17A TO252

diodes

DMN65D8LQ-7

MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23

diodes

DMN62D1LFB-7B

MOSFET N-CH 60V 320MA 3DFN