DMN65D8LQ-7
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

DMN65D8LQ-7

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

DMN65D8LQ-7-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 60 V 310mA (Ta) 370mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Αποθέμα:

41570 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12888882
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

DMN65D8LQ-7 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
310mA (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
3Ohm @ 115mA, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
0.87 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
22 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
370mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-23-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMN65

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
DMN65D8LQ-7DIDKR
DMN65D8LQ-7DITR
DMN65D8LQ-7DICT
DMN65D8LQ-7-DG

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
diodes

DMN62D1LFB-7B

MOSFET N-CH 60V 320MA 3DFN

diodes

DMN3009SFGQ-13

MOSFET N-CH 30V 16A PWRDI3333

diodes

DMN3009SFG-7

MOSFET N-CH 30V 16A PWRDI3333

nexperia

BUK7608-40B,118

MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK