Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
DMT64M8LCG-7
Product Overview
Κατασκευαστής:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
DMT64M8LCG-7-DG
Περιγραφή:
MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 60 V 16.1A (Ta), 77.8A (Tc) 990mW (Ta) Surface Mount V-DFN3333-8 (Type B)
Αποθέμα:
12978931
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
DMT64M8LCG-7 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
16.1A (Ta), 77.8A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
4.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
47.5 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2664 pF @ 30 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
990mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
V-DFN3333-8 (Type B)
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerVDFN
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,000
Άλλα ονόματα
31-DMT64M8LCG-7DKR
31-DMT64M8LCG-7CT
31-DMT64M8LCG-7TR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
DMT64M8LCG-13
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Diodes Incorporated
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
0
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
DMT64M8LCG-13-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.34
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Parametric Equivalent
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
DMT32M4LPSW-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI506
DMP32D9UFO-7B
MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN0604
DMT35M4LFDF4-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN2020
