DMT35M4LFDF4-13
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

DMT35M4LFDF4-13

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

DMT35M4LFDF4-13-DG

Περιγραφή:

MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN2020
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 30 V 12A (Ta) 910mW (Ta) Surface Mount X2-DFN2020-6 (Type W)

Αποθέμα:

12978938
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

DMT35M4LFDF4-13 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
12A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
9mOhm @ 20A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
14.9 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1009 pF @ 15 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
910mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
X2-DFN2020-6 (Type W)
Συσκευασία / Θήκη
6-PowerXDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMT35M4LF

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
10,000
Άλλα ονόματα
31-DMT35M4LFDF4-13TR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

FCPF260N60E-F154

MOSFET N-CH 600V 15A TO220F-3

diodes

2N7002KQ-7

2N7002 FAMILY SOT23 T&R 3K

diodes

DMP4006SPSW-13

MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506

diodes

DMP31D7LFB-7B

MOSFET BVDSS: 25V~30V X1-DFN1006