DMT61M5SPSW-13
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

DMT61M5SPSW-13

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

DMT61M5SPSW-13-DG

Περιγραφή:

MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 60 V 215A (Tc) 2.7W (Ta), 139W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8 (SWP)

Αποθέμα:

12986652
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

DMT61M5SPSW-13 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
215A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
1.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
130.6 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
8306 pF @ 30 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
2.7W (Ta), 139W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PowerDI5060-8 (SWP)
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerTDFN

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
31-DMT61M5SPSW-13DKR
31-DMT61M5SPSW-13TR
31-DMT61M5SPSW-13CT

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
micro-commercial-components

MCG50N04-TP

N-CHANNEL MOSFET,DFN3333

micro-commercial-components

MCAC60N150Y-TP

MCAC60N150Y-TP

goford-semiconductor

G15P04K

MOSFET P-CH 40V 15A TO-252

nexperia

PXP011-20QXJ

PXP011-20QX/SOT8002/MLPAK33