PXP011-20QXJ
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

PXP011-20QXJ

Product Overview

Κατασκευαστής:

Nexperia USA Inc.

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

PXP011-20QXJ-DG

Περιγραφή:

PXP011-20QX/SOT8002/MLPAK33
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 20 V 10.5A (Ta), 56.6A (Tc) 1.8W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount MLPAK33

Αποθέμα:

2890 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12986670
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

PXP011-20QXJ Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Nexperia
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
10.5A (Ta), 56.6A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
11.4mOhm @ 10.5A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.25V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
65.1 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±12V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
4200 pF @ 10 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1.8W (Ta), 50W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
MLPAK33
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerVDFN

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
1727-PXP011-20QXJCT
1727-PXP011-20QXJTR
1727-PXP011-20QXJDKR
5202-PXP011-20QXJTR
934662545118

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
vishay-siliconix

SISS5710DN-T1-GE3

N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW

vishay-siliconix

SIDR626EP-T1-RE3

N-CHANNEL 60 V (D-S) 175C MOSFET

vishay-siliconix

SISS5708DN-T1-GE3

N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW

goford-semiconductor

G2304

MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT-23