DMT47M2LDVQ-13
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

DMT47M2LDVQ-13

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

DMT47M2LDVQ-13-DG

Περιγραφή:

MOSFET 2N-CH 40V 11.9A PWRDI3333
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 40V 11.9A (Ta), 30.2A (Tc) 2.34W (Ta), 14.8W (Tc) Surface Mount PowerDI3333-8 (Type UXC)

Αποθέμα:

3000 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12889016
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

DMT47M2LDVQ-13 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
40V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
11.9A (Ta), 30.2A (Tc)
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
10.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.3V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
14nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
891pF @ 20V
Ισχύς - Μέγιστη
2.34W (Ta), 14.8W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Βαθμολογώ
Automotive
Προσόν
AEC-Q101
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerVDFN
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PowerDI3333-8 (Type UXC)
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMT47

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
31-DMT47M2LDVQ-13CT
31-DMT47M2LDVQ-13DKR
DMT47M2LDVQ-13DI-DG
31-DMT47M2LDVQ-13TR
DMT47M2LDVQ-13DI

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
diodes

BSS84DW-7

MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SOT363

diodes

DMP2101UCB9-7

MOSFET 2P-CH 20V 9UWLB

diodes

DMN31D5UDJ-7

MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT963

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM6L36TU,LF

MOSFET N/P-CH 20V 0.5A UF6