DMN31D5UDJ-7
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

DMN31D5UDJ-7

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

DMN31D5UDJ-7-DG

Περιγραφή:

MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT963
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 30V 220mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-963

Αποθέμα:

9129 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12889064
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

DMN31D5UDJ-7 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
220mA (Ta)
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
0.38nC @ 4.5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
22.6pF @ 15V
Ισχύς - Μέγιστη
350mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
SOT-963
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-963
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMN31

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
10,000
Άλλα ονόματα
31-DMN31D5UDJ-7DKR
DMN31D5UDJ-7-DG
31-DMN31D5UDJ-7CT
31-DMN31D5UDJ-7TR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
toshiba-semiconductor-and-storage

SSM6L36TU,LF

MOSFET N/P-CH 20V 0.5A UF6

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM6P35AFU,LF

MOSFET 2P-CH 20V 0.25A US6

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM6L40TU,LF

MOSFET N/P-CH 30V 1.6A UF6

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM6N7002BFU(T5L,F

MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6