Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
DMT12H090LFDF4-7
Product Overview
Κατασκευαστής:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
DMT12H090LFDF4-7-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 115V 3.4A 6DFN
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 115 V 3.4A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount X2-DFN2020-6
Αποθέμα:
13270096
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
DMT12H090LFDF4-7 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
115 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
3.4A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
3V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
90mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.2V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
6 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±12V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
251 pF @ 50 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
900mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
X2-DFN2020-6
Συσκευασία / Θήκη
6-PowerXDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMT12
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
31-DMT12H090LFDF4-7TR
31-DMT12H090LFDF4-7CT
31-DMT12H090LFDF4-7DKR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
DMT67M8LCG-7
MOSFET N-CH 60V 16A/64.6A 8DFN
DMT6017LFDF-7
MOSFET N-CH 65V 8.1A 6UDFN
DMT67M8LCGQ-13
MOSFET N-CH 60V 16A/64.6A 8DFN