Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
DMT67M8LCGQ-13
Product Overview
Κατασκευαστής:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
DMT67M8LCGQ-13-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 60V 16A/64.6A 8DFN
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 60 V 16A (Ta), 64.6A (Tc) 900mW (Tc) Surface Mount V-DFN3333-8 (Type B)
Αποθέμα:
13270102
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
DMT67M8LCGQ-13 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
16A (Ta), 64.6A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
5.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
37.5 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2130 pF @ 30 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
900mW (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Βαθμολογώ
Automotive
Προσόν
AEC-Q101
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
V-DFN3333-8 (Type B)
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerVDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMT67
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
31-DMT67M8LCGQ-13TR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
DMT67M8LCGQ-7
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Diodes Incorporated
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
0
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
DMT67M8LCGQ-7-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.38
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Parametric Equivalent
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
DMT12H065LFDF-13
MOSFET N-CH 115V 4.3A 6UDFN
DMP2110UW-7
MOSFET P-CH 20V 2A SOT323
DMTH6010LPSW-13
MOSFET N-CH 60V 15.5A/80A PWRDI