Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
DMT10H015LFG-13
Product Overview
Κατασκευαστής:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
DMT10H015LFG-13-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 100 V 10A (Ta), 42A (Tc) 2W (Ta), 35W (Tc) Surface Mount POWERDI3333-8
Αποθέμα:
3000 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12884799
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
DMT10H015LFG-13 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
10A (Ta), 42A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
13.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
33.3 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1871 pF @ 50 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
2W (Ta), 35W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PowerDI3333-8
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerVDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMT10
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
31-DMT10H015LFG-13CT
DMT10H015LFG-13DI
DMT10H015LFG-13DI-DG
31-DMT10H015LFG-13DKR
31-DMT10H015LFG-13TR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
DMT6010LPS-13
MOSFET N-CH 60V 13.5A PWRDI5060
DMN10H170SFG-13
MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
DMPH6050SFG-7
MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI333
