DMT6010LPS-13
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

DMT6010LPS-13

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

DMT6010LPS-13-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 60V 13.5A PWRDI5060
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 60 V 13.5A (Ta), 80A (Tc) 2.2W (Ta), 113W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8

Αποθέμα:

4694 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12884808
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

DMT6010LPS-13 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
13.5A (Ta), 80A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
8mOhm @ 20A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
41.3 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2090 pF @ 30 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
2.2W (Ta), 113W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PowerDI5060-8
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerTDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMT6010

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
DMT6010LPS-13DICT
DMT6010LPS-13DITR
DMT6010LPS-13DIDKR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
diodes

DMN10H170SFG-13

MOSFET N-CH 100V PWRDI3333

diodes

DMPH6050SFG-7

MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI333

diodes

BSN20-7

MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23

diodes

DMPH4015SK3Q-13

MOSFET P-CH 40V 14A/45A TO252