Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
DMT10H009LK3-13
Product Overview
Κατασκευαστής:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
DMT10H009LK3-13-DG
Περιγραφή:
MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 100 V 90A (Tc) 1.7W (Ta) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Αποθέμα:
2536 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12978873
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
DMT10H009LK3-13 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
90A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
9mOhm @ 20A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
20 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2309 pF @ 50 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1.7W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-252 (DPAK)
Συσκευασία / Θήκη
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMT10
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
31-DMT10H009LK3-13DKR
31-DMT10H009LK3-13TR
31-DMT10H009LK3-13CT
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
DMT69M5LH3
MOSFET BVDSS: 41V~60V TO251 TUBE
IRFR110PBF-BE3
MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
DMN2310UW-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
