DMTH8008LFGQ-13
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

DMTH8008LFGQ-13

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

DMTH8008LFGQ-13-DG

Περιγραφή:

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 80 V 17A (Ta), 70A (Tc) 1.2W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount POWERDI3333-8

Αποθέμα:

5996 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12978901
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

DMTH8008LFGQ-13 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
80 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
17A (Ta), 70A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
6.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
37.7 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2254 pF @ 40 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1.2W (Ta), 50W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Βαθμολογώ
Automotive
Προσόν
AEC-Q101
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PowerDI3333-8
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerVDFN

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
31-DMTH8008LFGQ-13TR
31-DMTH8008LFGQ-13DKR
31-DMTH8008LFGQ-13CT

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
international-rectifier

AUIRL3705ZL

MOSFET N-CH 55V 75A TO262

diodes

DMTH8028LPSWQ-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50

diodes

DMTH4014LFVW-13

MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333

diodes

DMN29M9UFDF-7

MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-