Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
DMP27M1UPSW-13
Product Overview
Κατασκευαστής:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
DMP27M1UPSW-13-DG
Περιγραφή:
MOSFET BVDSS: 8V~24V PowerDI5060
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 20 V 84A (Tc) 1.95W (Ta), 3.57W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI5060-8 (Type UX)
Αποθέμα:
12993066
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
DMP27M1UPSW-13 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Bulk
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
84A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
5.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.3V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
123 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±12V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
4777 pF @ 10 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1.95W (Ta), 3.57W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount, Wettable Flank
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PowerDI5060-8 (Type UX)
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerTDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMP27
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
31-DMP27M1UPSW-13
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
DMPH16M1UPSW-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V PowerDI5060
DMTH10H032SPSWQ-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI50
DMN31D5UFZQ-7B
MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN0606
