DMN31D5UFZQ-7B
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

DMN31D5UFZQ-7B

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

DMN31D5UFZQ-7B-DG

Περιγραφή:

MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN0606
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 30 V 410mA (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount X2-DFN0606-3

Αποθέμα:

12993072
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

DMN31D5UFZQ-7B Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Bulk
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
410mA (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
0.38 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±12V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
22.6 pF @ 15 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
400mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Βαθμολογώ
Automotive
Προσόν
AEC-Q101
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
X2-DFN0606-3
Συσκευασία / Θήκη
3-XFDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMN31

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
10,000
Άλλα ονόματα
31-DMN31D5UFZQ-7B

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
infineon-technologies

ISC015N04NM5ATMA1

40V 1.5M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8

infineon-technologies

ISC028N04NM5ATMA1

40V 2.8M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8

infineon-technologies

ISC0805NLSATMA1

MOSFET N-CH 100V 13A/71A TDSON

global-power-technologies-group

GCMS040B120S1-E1

SIC 1200V 40M MOSFET & 15A SBD S