DMP1011UCB9-7
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

DMP1011UCB9-7

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

DMP1011UCB9-7-DG

Περιγραφή:

MOSFET P-CH 8V 10A U-WLB1515-9
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 8 V 10A (Ta) 890mW (Ta) Surface Mount U-WLB1515-9

Αποθέμα:

15039 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12884295
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

DMP1011UCB9-7 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
8 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
10A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
10mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.1V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
10.5 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
-6V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1060 pF @ 4 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
890mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
U-WLB1515-9
Συσκευασία / Θήκη
9-UFBGA, WLBGA
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMP1011

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
DMP1011UCB9-7DITR
DMP1011UCB9-7DICT
DMP1011UCB9-7DIDKR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
diodes

DMN30H14DLY-13

MOSFET N-CH 300V 210MA SOT89

diodes

DMTH4004LK3-13

MOSFET N-CH 40V 100A TO252

diodes

2N7002TC

MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3

diodes

DMJ70H1D4SV3

MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251