DMN30H14DLY-13
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

DMN30H14DLY-13

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

DMN30H14DLY-13-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 300V 210MA SOT89
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 300 V 210mA (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount SOT-89-3

Αποθέμα:

12884297
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

DMN30H14DLY-13 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
300 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
210mA (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
14Ohm @ 300mA, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
4 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
96 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
900mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-89-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-243AA
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMN30

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
DMN30H14DLY-13DI
DMN30H14DLY-13DIDKR
DMN30H14DLY-13DICT
DMN30H14DLY-13DITR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
diodes

DMTH4004LK3-13

MOSFET N-CH 40V 100A TO252

diodes

2N7002TC

MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3

diodes

DMJ70H1D4SV3

MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251

diodes

DMG7430LFG-7

MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333