Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
DMN62D0LFB-7B
Product Overview
Κατασκευαστής:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
DMN62D0LFB-7B-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 60V 100MA 3-DFN
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 60 V 100mA (Ta) 470mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1006-3
Αποθέμα:
12891749
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
DMN62D0LFB-7B Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
100mA (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
2Ohm @ 100mA, 4V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
0.45 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
32 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
470mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
X1-DFN1006-3
Συσκευασία / Θήκη
3-UFDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMN62
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
10,000
Άλλα ονόματα
DMN62D0LFB-7BDITR
31-DMN62D0LFB-7BTR
DMN62D0LFB7B
31-DMN62D0LFB-7BCT
DMN62D0LFB-7BDICT
DMN62D0LFB-7BDIDKR
DMN62D0LFB-7BDIDKR-DG
DMN62D0LFB-7BDICT-DG
31-DMN62D0LFB-7BDKR
DMN62D0LFB-7BDITR-DG
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
DMN62D0LFB-7
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Diodes Incorporated
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
242572
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
DMN62D0LFB-7-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.06
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Parametric Equivalent
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
DMN1023UCB4-7
MOSFET N CH 5.1A U-WLB1010-4
DMN2026UVT-7
MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26
DMN1014UFDF-13
MOSFET N-CH 12V 8A 6UDFN