DMN2026UVT-7
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

DMN2026UVT-7

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

DMN2026UVT-7-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 20 V 6.2A (Tc) 1.15W (Ta) Surface Mount TSOT-26

Αποθέμα:

3000 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12891751
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

DMN2026UVT-7 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
6.2A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
18.4 nC @ 8 V
Vgs (Μέγ.)
±10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
887 pF @ 10 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1.15W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TSOT-26
Συσκευασία / Θήκη
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMN2026

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
DMN2026UVT-7DIDKR
DMN2026UVT-7DITR-DG
DMN2026UVT-7DITR
DMN2026UVT-7DIDKR-DG
31-DMN2026UVT-7DKR
DMN2026UVT-7DICT
DMN2026UVT-7DICT-DG
31-DMN2026UVT-7CT
31-DMN2026UVT-7TR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
diodes

DMN1014UFDF-13

MOSFET N-CH 12V 8A 6UDFN

diodes

DMN24H3D6S-13

MOSFET BVDSS: 101V-250V SOT23

diodes

DMJ70H1D0SV3

MOSFET N-CHANNEL 700V 6A TO251

toshiba-semiconductor-and-storage

2SK3127(TE24L,Q)

MOSFET N-CH 30V 45A TO220SM