Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
DMN61D9UDW-13-50
Product Overview
Κατασκευαστής:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
DMN61D9UDW-13-50-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 60V 350mA (Ta) 320mW (Ta) Surface Mount SOT-363
Αποθέμα:
12994149
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
DMN61D9UDW-13-50 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel
Δυνατότητα FET
Standard
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
350mA (Ta)
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
2Ohm @ 50mA, 5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
0.4nC @ 4.5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
28.5pF @ 30V
Ισχύς - Μέγιστη
320mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Βαθμολογώ
Automotive
Προσόν
AEC-Q101
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-363
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMN61
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
10,000
Άλλα ονόματα
31-DMN61D9UDW-13-50
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
BSS138BKDW-TPQ2
MOSFET 2N-CH 50V 0.22A SOT363
DMN52D0UVA-7
MOSFET 2N-CH 50V 0.48A SOT563
STA508A
MOSFET 4N-CH 120V 6A 10SIP
