Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
STA508A
Product Overview
Κατασκευαστής:
Sanken Electric USA Inc.
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
STA508A-DG
Περιγραφή:
MOSFET 4N-CH 120V 6A 10SIP
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 120V 6A (Ta) 4W (Ta), 20W (Tc) Through Hole 10-SIP
Αποθέμα:
12994223
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
STA508A Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
Sanken Electric Co., Ltd.
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
4 N-Channel
Δυνατότητα FET
Standard
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
120V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
6A (Ta)
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
200mOhm @ 4A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
-
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
400pF @ 10V
Ισχύς - Μέγιστη
4W (Ta), 20W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Συσκευασία / Θήκη
10-SIP
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
10-SIP
Βασικός αριθμός προϊόντος
STA508
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
440
Άλλα ονόματα
1261-STA508A
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
RoHS Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
DMN3061SVTQ-13
MOSFET 2N-CH 30V 3.4A TSOT26
2N7002DW-TPQ2
MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SOT363
MCACD20N10Y-TP
MOSFET 2N-CH 100V 20A 8DFN
