Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
DMN3900UFA-7B
Product Overview
Κατασκευαστής:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
DMN3900UFA-7B-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 30V 550MA 3DFN
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 30 V 550mA (Ta) 390mW (Ta) Surface Mount X2-DFN0806-3
Αποθέμα:
10361 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12882806
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
DMN3900UFA-7B Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
550mA (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
760mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
950mV @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
0.7 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±8V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
42.2 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
390mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
X2-DFN0806-3
Συσκευασία / Θήκη
3-XFDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMN3900
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
10,000
Άλλα ονόματα
DMN3900UFA7B
DMN3900UFA-7BDKR
DMN3900UFA-7BTR
DMN3900UFA-7BCT
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
2N7002E-7-F
MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23-3
DMN4800LSSQ-13
MOSFET N-CH 30V 8.6A 8SO
DMNH10H028SPS-13
MOSFET N-CH 100V 40A PWRDI5060-8
