Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
DMN4800LSSQ-13
Product Overview
Κατασκευαστής:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
DMN4800LSSQ-13-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 30V 8.6A 8SO
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 30 V 8.6A (Ta) 1.46W (Ta) Surface Mount 8-SO
Αποθέμα:
4524 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12882813
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
DMN4800LSSQ-13 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
8.6A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
14mOhm @ 9A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.6V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
8.7 nC @ 5 V
Vgs (Μέγ.)
±25V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
798 pF @ 10 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1.46W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Βαθμολογώ
Automotive
Προσόν
AEC-Q101
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-SO
Συσκευασία / Θήκη
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMN4800
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
DMN4800LSSQ-13DICT
DMN4800LSSQ-13DITR
DMN4800LSSQ-13DI
DMN4800LSSQ-13DIDKR
DMN4800LSSQ-13DI-DG
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
DMNH10H028SPS-13
MOSFET N-CH 100V 40A PWRDI5060-8
DMN601WK-7
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT323
DMP2170U-7
MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23
