Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
DMN32D4SDW-7
Product Overview
Κατασκευαστής:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
DMN32D4SDW-7-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 30V 650mA 290mW Surface Mount SOT-363
Αποθέμα:
17468 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12893981
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
DMN32D4SDW-7 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
650mA
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
400mOhm @ 250mA, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.6V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
1.3nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
50pF @ 15V
Ισχύς - Μέγιστη
290mW
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-363
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMN32
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
DMN32D4SDW-7DIDKR
DMN32D4SDW-7DICT
DMN32D4SDW-7DITR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
DMN601DMK-7
MOSFET 2N-CH 60V 0.51A SOT26
TSM9933DCS RLG
MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8SOP
DMT3006LDV-7
MOSFET 2N-CH 30V 25A POWERDI3333