Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
DMT47M2LDV-13
Product Overview
Κατασκευαστής:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
DMT47M2LDV-13-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 40V 11.9A PWRDI3333
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 40V 11.9A (Ta), 30.2A (Tc) 2.34W (Ta), 14.8W (Tc) Surface Mount PowerDI3333-8 (Type UXC)
Αποθέμα:
12894381
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
DMT47M2LDV-13 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
40V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
11.9A (Ta), 30.2A (Tc)
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
10.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.3V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
14nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
891pF @ 20V
Ισχύς - Μέγιστη
2.34W (Ta), 14.8W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerVDFN
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PowerDI3333-8 (Type UXC)
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMT47
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
DMT47M2LDV-13DI
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
SIX3439K-TP
MOSFET N/P-CH 20V 0.75A SOT563
DMN62D0UDW-7
MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363
TSM6866SDCA RVG
MOSFET 2N-CH 20V 6A 8TSSOP