DMN3270UVT-13
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

DMN3270UVT-13

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

DMN3270UVT-13-DG

Περιγραφή:

MOSFET 2N-CH 30V 1.6A TSOT26
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 30V 1.6A (Ta) 760mW (Ta) Surface Mount TSOT-26

Αποθέμα:

12898155
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

DMN3270UVT-13 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
1.6A (Ta)
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
270mOhm @ 650mA, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
900mV @ 40µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
3.07nC @ 4.5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
161pF @ 15V
Ισχύς - Μέγιστη
760mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Βαθμολογώ
Automotive
Προσόν
AEC-Q101
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TSOT-26
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMN3270

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
10,000

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
diodes

DMHC10H170SFJ-13

MOSFET 2N/2P-CH 100V 2.9A 12VDFN

taiwan-semiconductor

TSM200N03DPQ33 RGG

MOSFET 2N-CH 30V 20A 8DFN

diodes

BSS138DWQ-13

MOSFET 2N-CH 50V 0.2A SOT363

diodes

DMPH6050SSDQ-13

MOSFET 2P-CH 60V 5.2A 8SO