DMHC10H170SFJ-13
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

DMHC10H170SFJ-13

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

DMHC10H170SFJ-13-DG

Περιγραφή:

MOSFET 2N/2P-CH 100V 2.9A 12VDFN
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 100V 2.9A, 2.3A 2.1W Surface Mount V-DFN5045-12

Αποθέμα:

8922 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12898168
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

DMHC10H170SFJ-13 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
2.9A, 2.3A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
160mOhm @ 5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
9.7nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1167pF @ 25V
Ισχύς - Μέγιστη
2.1W
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
12-VDFN Exposed Pad
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
V-DFN5045-12
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMHC10

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
DMHC10H170SFJ-13DICT
DMHC10H170SFJ-13DITR
DMHC10H170SFJ-13DIDKR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
taiwan-semiconductor

TSM200N03DPQ33 RGG

MOSFET 2N-CH 30V 20A 8DFN

diodes

BSS138DWQ-13

MOSFET 2N-CH 50V 0.2A SOT363

diodes

DMPH6050SSDQ-13

MOSFET 2P-CH 60V 5.2A 8SO

diodes

DMN3055LFDB-13

MOSFET 2N-CH 5A 6UDFN