Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
DMN2710UFB-7B
Product Overview
Κατασκευαστής:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
DMN2710UFB-7B-DG
Περιγραφή:
MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 20 V 1.3A (Ta) 720mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1006-3
Αποθέμα:
13002783
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
DMN2710UFB-7B Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Bulk
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
1.3A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
450mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
0.6 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±6V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
42 pF @ 16 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
720mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
X1-DFN1006-3
Συσκευασία / Θήκη
3-UFDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMN2710
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
10,000
Άλλα ονόματα
31-DMN2710UFB-7B
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
DMN2710UFB-7
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Diodes Incorporated
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
0
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
DMN2710UFB-7-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.04
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Parametric Equivalent
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
TQM025NH04CR RLG
40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE
TSM060NB06CZ C0G
60V, 111A, SINGLE N-CHANNEL POWE
R6022YNX3C16
NCH 600V 22A, TO-220AB, POWER MO
