DMN3115UDM-7
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

DMN3115UDM-7

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

DMN3115UDM-7-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-26
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 30 V 3.2A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount SOT-26

Αποθέμα:

12900131
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

DMN3115UDM-7 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
3.2A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
60mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1V @ 250µA
Vgs (Μέγ.)
±8V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
476 pF @ 15 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
900mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-26
Συσκευασία / Θήκη
SOT-23-6
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMN3115

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
DMN3115UDMDIDKR
DMN3115UDMDITR
DMN3115UDM7
DMN3115UDMDICT

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
diodes

DMT3003LFG-13

MOSFET N-CH 30V 22A PWRDI3333

taiwan-semiconductor

TSM60NB380CH C5G

MOSFET N-CH 600V 9.5A TO251

taiwan-semiconductor

TSM2N60ECP ROG

MOSFET N-CHANNEL 600V 2A TO252

taiwan-semiconductor

TSM60N600CI C0G

MOSFET N-CH 600V 8A ITO220AB