DMN2016UFX-7
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

DMN2016UFX-7

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

DMN2016UFX-7-DG

Περιγραφή:

MOSFET 2N-CH 24V 9.9A 4VDFN
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 24V 9.9A (Ta) 1.07W (Ta) Surface Mount V-DFN2050-4

Αποθέμα:

12887973
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

DMN2016UFX-7 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
24V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
9.9A (Ta)
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
15mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
14nC @ 4.5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
950pF @ 10V
Ισχύς - Μέγιστη
1.07W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
4-VFDFN Exposed Pad
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
V-DFN2050-4
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMN2016

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
diodes

BSS84V-7

MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SOT563

diodes

DMN3135LVT-7

MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26

diodes

DMN2010UDZ-7

MOSFET 2N-CH 24V 11A 6UDFN

diodes

DMG6602SVTQ-7

MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26