DMN3135LVT-7
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

DMN3135LVT-7

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

DMN3135LVT-7-DG

Περιγραφή:

MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 30V 3.5A 840mW Surface Mount TSOT-26

Αποθέμα:

66125 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12887990
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

DMN3135LVT-7 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
3.5A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
60mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.2V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
4.1nC @ 4.5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
305pF @ 15V
Ισχύς - Μέγιστη
840mW
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TSOT-26
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMN3135

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
DMN3135LVT-7DITR
DMN3135LVT7
DMN3135LVT-7DICT
DMN3135LVT-7DIDKR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
diodes

DMN2010UDZ-7

MOSFET 2N-CH 24V 11A 6UDFN

diodes

DMG6602SVTQ-7

MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26

diodes

DMN4034SSD-13

MOSFET 2N-CH 40V 4.8A 8SO

diodes

DMN1003UCA6-7

MOSFET 2N-CH X3-DSN3518-6