DMN2011UFX-7

Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

DMN2011UFX-7

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

DMN2011UFX-7-DG

Περιγραφή:

MOSFET 2N-CH 20V 12.2A 4VDFN

Λεπτομερής Περιγραφή:

Mosfet Array 20V 12.2A (Ta) 2.1W Surface Mount V-DFN2050-4

Αποθέμα:

2951 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα

12882823

Αίτηση Προσφοράς

Ποσότητα
Ελάχιστο 1

(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών

ΥΠΟΒΑΛΛΩ

DMN2011UFX-7 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία

FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET

Κατασκευαστής

Diodes Incorporated

Συσκευασία

Tape & Reel (TR)

Σειρά

-

Κατάσταση προϊόντος

Active

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Διαμόρφωση

2 N-Channel (Dual) Common Drain

Δυνατότητα FET

-

Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)

20V

Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C

12.2A (Ta)

Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs

9.5mOhm @ 10A, 4.5V

Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID

1V @ 250µA

Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs

56nC @ 10V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds

2248pF @ 10V

Ισχύς - Μέγιστη

2.1W

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 150°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Surface Mount

Συσκευασία / Θήκη

4-VFDFN Exposed Pad

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

V-DFN2050-4

Βασικός αριθμός προϊόντος

DMN2011

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων

Φύλλα δεδομένων

HTML Δελτίο δεδομένων

DMN2011UFX-7-DG

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο

3,000

Άλλα ονόματα

DMN2011UFX-7DICT

DMN2011UFX-7DITR

DMN2011UFX-7DIDKR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS

ROHS3 Compliant

Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)

1 (Unlimited)

Κατάσταση REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Πιστοποίηση DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Σχετικά προϊόντα

diodes

DMN2040LSD-13

MOSFET 2N-CH 20V 7A 8SOP

diodes

DMN62D0UDW-13

MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363

diodes

DMC2990UDJ-7

MOSFET N/P-CH 20V 0.45A SOT963

diodes

DMC4015SSD-13

MOSFET N/P-CH 40V 8.6A/6.2A 8SO