Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
DMN62D0UDW-13
Product Overview
Κατασκευαστής:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
DMN62D0UDW-13-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 60V 350mA 320mW Surface Mount SOT-363
Αποθέμα:
9520 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12882826
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
DMN62D0UDW-13 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
350mA
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
2Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
0.5nC @ 4.5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
32pF @ 30V
Ισχύς - Μέγιστη
320mW
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-363
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMN62
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
10,000
Άλλα ονόματα
31-DMN62D0UDW-13DKR
31-DMN62D0UDW-13CT
DMN62D0UDW-13DI-DG
31-DMN62D0UDW-13TR
DMN62D0UDW-13DI
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
DMC2990UDJ-7
MOSFET N/P-CH 20V 0.45A SOT963
DMC4015SSD-13
MOSFET N/P-CH 40V 8.6A/6.2A 8SO
DMC2710UVT-7
MOSFET N/P-CH 20V 1.2A TSOT23-6
