DMN2011UFDF-7

Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

DMN2011UFDF-7

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

DMN2011UFDF-7-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 20V 14.2A 6UDFN

Λεπτομερής Περιγραφή:

N-Channel 20 V 14.2A (Ta) 2.1W (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)

Αποθέμα:

RFQ Online

12882897

Αίτηση Προσφοράς

Ποσότητα
Ελάχιστο 1

(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών

ΥΠΟΒΑΛΛΩ

DMN2011UFDF-7 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία

FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs

Κατασκευαστής

Diodes Incorporated

Συσκευασία

Tape & Reel (TR)

Σειρά

-

Κατάσταση προϊόντος

Active

Τύπος FET

N-Channel

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)

20 V

Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C

14.2A (Ta)

Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs

9.5mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID

1V @ 250µA

Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs

56 nC @ 10 V

Vgs (Μέγ.)

±12V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds

2248 pF @ 10 V

Δυνατότητα FET

-

Απαγωγή ισχύος (μέγ.)

2.1W (Ta)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 150°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Surface Mount

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

U-DFN2020-6 (Type F)

Συσκευασία / Θήκη

6-UDFN Exposed Pad

Βασικός αριθμός προϊόντος

DMN2011

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων

Φύλλα δεδομένων

HTML Δελτίο δεδομένων

DMN2011UFDF-7-DG

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο

3,000

Άλλα ονόματα

DMN2011UFDF-7DIDKR

31-DMN2011UFDF-7TR

DMN2011UFDF-7DIDKR-DG

DMN2011UFDF-7DITR

DMN2011UFDF-7-DG

DMN2011UFDF-7DICT

DMN2011UFDF-7DICT-DG

DMN2011UFDF-7DITR-DG

31-DMN2011UFDF-7DKR

31-DMN2011UFDF-7CT

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS

ROHS3 Compliant

Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)

1 (Unlimited)

Κατάσταση REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ

DMN2011UFDF-13

ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ

Diodes Incorporated

ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ

9286

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ

DMN2011UFDF-13-DG

ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ

0.12

ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ

Parametric Equivalent

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ

PMPB8XNX

ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ

Nexperia USA Inc.

ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ

5000

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ

PMPB8XNX-DG

ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ

0.11

ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ

MFR Recommended

Πιστοποίηση DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Σχετικά προϊόντα

diodes

BSS138W-7-F

MOSFET N-CH 50V 200MA SOT323

diodes

DMN3731U-7

MOSFET N-CH 30V 900MA SOT23

diodes

2N7002AQ-7

MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23

diodes

DMN2011UFDE-7

MOSFET N-CH 20V 11.7A 6UDFN