Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
DMN2011UFDE-7
Product Overview
Κατασκευαστής:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
DMN2011UFDE-7-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 20V 11.7A 6UDFN
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 20 V 11.7A (Ta) 610mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type E)
Αποθέμα:
44870 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12882931
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
DMN2011UFDE-7 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
11.7A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
9.5mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±12V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2248 pF @ 10 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
610mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
U-DFN2020-6 (Type E)
Συσκευασία / Θήκη
6-PowerUDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMN2011
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
DMN2011UFDE-7DIDKR
DMN2011UFDE-7DITR
DMN2011UFDE-7DICT
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
DMN3025LFDF-7
MOSFET N-CH 30V 9.9A 6UDFN
DMN62D0U-13
MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23
DMP4011SK3-13
MOSFET P-CH 40V 14A/74A TO252
